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2022/07/22
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Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times
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英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。分立式CoolSiC™ MOSFET产品组合提供650 V、1200 V和1700 V电压等级，导通电阻额定值为7 mΩ至1000 mΩ不等。
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